Определить отношение удельных проводимостей σф/σт плёнки сульфида кадмия nтипа (n-CdS) толщиной 100 мкм при однородном оптическом возбужден...
Условие:
Определить отношение удельных проводимостей σф/σт плёнки сульфида кадмия nтипа (n-CdS) толщиной 100 мкм при однородном оптическом возбуждении, σф, и в темноте, σт , монохроматическим излучением интенсивностью Ф0(1–R)=1020 м-2·с-1 , если равновесная концентрация электронов в образце n0=1019 м-3 , показатель поглощения α=102 м-1 , а время жизни неравновесных носителей тока τn=10 мкс. Вкладом дырок в фотопроводимость пренебречь. Квантовый выход внутреннего фотоэффекта положить равным единице.
Решение:
Для определения отношения удельных проводимостей σф/σт плёнки сульфида кадмия n-типа (n-CdS) при однородном оптическом возбуждении и в темноте, мы можем использовать формулу:
σф/σт = (nф/nт) * (μф/μт)
Где: nф - концентрация электронов в фотопроводимости nт - концентрация электронов в темновой проводимости μф - подвижность электронов в фотопроводимости μт - подвижность электронов в темновой проводимости
Для начала, определим концентрацию электронов в фотопроводимости nф. Мы можем использовать формулу:
nф = n0 * exp(-α * d)
Где: n0 - равновесная концентрация электронов в образце α - показатель поглощения d - толщина плёнки
Подставляя значения, получаем:
nф = 10^19 * exp(-102 * 100 * 10^-6) = 10^19 * exp(-0.0102) ≈ 6.69 * 10^18 м-3
Затем, определим концентрацию электронов в темновой проводимости nт. Для этого, мы можем использовать формулу:
nт = n0 * exp(-α * d)
Подставляя значения, получаем:
nт = 10^19 * exp(-102 * 100 * 10^-6) = 10^19 * exp(-0.0102) ≈ 6.69 * 10^18 м-3
Далее, определим подвижность электронов в фотопроводимости μф. Мы можем использовать...
