Рассчитать время Максвелловской релаксации кремния tm (e= 14) и построить график зависимости tm = f(электропроводность полупроводника) при r...

Для расчета времени Максвелловской релаксации кремния (Si) с диэлектрической проницаемостью (ε) равной 14, мы можем использовать следующую формулу:

tm = ε * ε0 * (r * A) / (q * μn * N)

где:

• tm - время Максвелловской релаксации
• ε - диэлектрическая проницаемость
• ε0 - электрическая постоянная (приблизительно равна 8.85 * 10^-12 Ф/м)
• r - сопротивление полупроводника
• A - площадь поперечного сечения полупроводника
• q - заряд электрона (приблизительно равен 1.6 * 10^-19 Кл)
• μn - подвижность электронов в полупроводнике
• N - концентрация электронов в полупроводнике

Для построения графика зависимости tm от электропроводности полупроводника, нам нужно знать зависимость подвижности электронов от электропроводности. Это может быть представлено в виде уравнения:

μn = μn0 / (1 + αn * N)

где:

• μn - подвижность электронов
• μn0 - подвижность электронов в...